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碳化硅MOSFET器件

SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。其優(yōu)點主要可以概括為以下幾點： 1) 高溫工作 SiC在物理特性上擁有高度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，其能帶寬度可達2.2eV至3.3eV，幾乎是Si材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，SiC器件所能達到的最大工作溫度可到600 oC。 2) 高阻斷電壓

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產(chǎn)品描述

SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬度又決定了SiC器件的高擊穿場強和高工作溫度。其優(yōu)點主要可以概括為以下幾點：

1) 高溫工作

SiC在物理特性上擁有高度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，其能帶寬度可達2.2eV至3.3eV，幾乎是Si材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，SiC器件所能達到的最大工作溫度可到600 ºC。

2) 高阻斷電壓

與Si材料相比，SiC的擊穿場強是Si的十倍多，因此SiC器件的阻斷電壓比Si器件高很多。

3) 低損耗

一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且SiC器件導通損耗對溫度的依存度很小，SiC器件的導通損耗隨溫度的變化很小，這與傳統(tǒng)的Si器件也有很大差別。

4) 開關(guān)速度快

SiC的熱導系數(shù)幾乎是Si材料的2.5倍，飽和電子漂移率是Si的2倍，所以SiC器件能在更高的頻率下工作。

在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。1200V功率等級下，各類功率器件的特性比較結(jié)果，參與比較的SiC MOSFET是GE12N15L。需要指出的是，這些功率器件都為TO-247封裝，且IPW90R120C3耐壓僅為900V，但它已是所能找到的相似功率等級下，特性較好的Si MOSFET。